商品名稱:NCV3025833MTW
數(shù)據(jù)手冊:NCV3025833MTW.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:33-WQFNW
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCV3025833MTW是 onsemi 經(jīng)過全面優(yōu)化的下一代產(chǎn)品、超緊湊型集成 MOSFET 加驅動器功率級解決方案,用于高電流、高頻率、同步降壓、DC-DC應用。集成了一個帶有自舉肖特基二極管、兩個功率 MOSFET 和一個熱監(jiān)控器集成在一個熱增強型超緊湊 5 mm × 5 mm 封裝中。 開關功率級采用集成方法,針對驅動器和 MOSFET動態(tài)性能進行了優(yōu)化,最大限度地降低了系統(tǒng)電感和功率 MOSFET RDS(ON)。
產(chǎn)品屬性
輸出配置:半橋
應用:DC-DC 轉換器
負載類型:電感,電容性,電阻
技術:NMOS
電流 - 輸出/通道:50A
電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V
電壓 - 負載:4.5V ~ 24V
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
特性:自舉電路,二極管仿真
等級:汽車級
故障保護:ESD,超溫,擊穿,UVLO
安裝類型:表面貼裝,可潤濕側翼
資質:AEC-Q100
封裝/外殼:33-PowerWFQFN
供應商器件封裝:33-WQFNW(5x5)
應用
● 筆記本電腦、平板電腦和超極本
● 服務器和工作站,V 核和非 V 核直流-直流轉換器
● 臺式機和一體機,V 核和非 V-Core DC-DC 轉換器
● 高性能游戲主板
● 大電流直流-直流負載點轉換器
● 網(wǎng)絡和電信微處理器穩(wěn)壓器
● 小型穩(wěn)壓器模塊
● 汽車合格系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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