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IPQC60R017S7A是600V CoolMOSTM SJ S7A功率器件，高壓功率MOSFET，QDPAK（PG-HDSOP-22）封裝符合MSL1標(biāo)準(zhǔn)，完全不含鉛，適用于標(biāo)準(zhǔn)PCB組裝流程。

型號：IPQC60R017S7A
封裝：PG-HDSOP-22
類型：N通道MOSFET晶體管

產(chǎn)品規(guī)格
FET類型：N通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏極-源極電壓（Vdss）：600 V
電流-25°C時的連續(xù)漏極（Id）:30A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）：12V
柵極電荷（Qg）（最大）@Vgs: 196nC@12V
Vgs（最大）：±20V
輸入電容（Ciss）（最大）@Vds：7370 pF@300 V
功耗（最大）：500W（Tc）
工作溫度：-40°C~150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：PG-HDSOP-22，22 PowerBSOP模塊

N溝道晶體管 IPQC60R017S7A 表面貼裝型 PG-HDSOP-22

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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