商品名稱:GS-065-060-5-B-A-MR
數(shù)據(jù)手冊:GS-065-060-5-B-A-MR.pdf
品牌:GaN Systems
年份:23+
封裝:GaNPX
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
GS-065-060-5-B-A-MR 是一款汽車級 650 V E 模式硅基氮化鎵功率晶體管。GS-065-060-5-B-A-MR 是底部冷卻型晶體管,具有極低的結(jié)殼熱阻,適用于要求苛刻的高功率應(yīng)用。
功能
AEC-Q101 和 AutoQual+?(增強(qiáng)型 AEC-Q101)
650 V 增強(qiáng)型功率晶體管
底部冷卻、低電感 GaNPX? 封裝
RDS(on) = 25 mΩ
IDS(max) = 60 A
超低 FOM
簡單的柵極驅(qū)動(dòng)要求(0 V 至 6 V)
瞬態(tài)容差柵極驅(qū)動(dòng)(-20 / +10 V)
開關(guān)頻率極高(> 10 MHz)
快速可控的下降和上升時(shí)間
反向?qū)芰?/span>
零反向恢復(fù)損耗
11 x 9 mm2 PCB 基底面小
雙柵極焊盤,可優(yōu)化電路板布局
符合 RoHS 3 (6+4) 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
板載充電器
牽引驅(qū)動(dòng)
直流-直流轉(zhuǎn)換器
交流-直流轉(zhuǎn)換器
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
太陽能逆變器
無電橋圖騰柱 PFC
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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作為全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商,GaN Systems致力為全球客戶提供業(yè)界最完整且高可靠的氮化鎵功率晶體管產(chǎn)品組合,在電動(dòng)車、數(shù)據(jù)中心、再生能源、工業(yè)及消費(fèi)電子等產(chǎn)業(yè),驅(qū)動(dòng)更高效率、高功率密度且更經(jīng)濟(jì)永續(xù)的電源解決方案。GaN Systems提供產(chǎn)品級和系統(tǒng)級一站式解決…
GS-065-060-5-B-A-TR
GS-065-060-5-B-A-TR是一款汽車級 650 V E 模式硅基氮化鎵功率晶體管。GS-065-060-5-B-A-TR是底部冷卻型晶體管,具有極低的結(jié)殼熱阻,適用于要求苛刻的高功率應(yīng)用。功能AEC-Q101 和 AutoQual+?(增強(qiáng)型 AEC-Q101) 650 V 增強(qiáng)型功率晶體管底部冷卻、低電感 GaNPX 封裝RD…GS-065-008-1-L-TR
GS-065-008-1-L-TR是一款增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性可實(shí)現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。GaN Systems 采用獲得專利的 Island Technology 單元布局,可實(shí)現(xiàn)大電流芯片性能和產(chǎn)量。 GS-065-008-1-L-TR是一款底部冷卻型晶體管,采用 56 mm PDFN 封裝,具有…GS-065-060-5-T-A-TR
GS-065-060-5-T-A-TR是一款汽車級 650 V E 模式硅基氮化鎵功率晶體管。GS-065-060-5-T-A-TR是頂部冷卻型晶體管,具有極低的結(jié)殼熱阻,適用于要求苛刻的高功率應(yīng)用。特性AEC-Q101 和 AutoQual+?(增強(qiáng)型 AEC-Q101)650 V 增強(qiáng)型功率晶體管頂部冷卻、低電感 GaNPX 封裝RDS…GS66516T-MR
GS66516T-MR是一款增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管。GaN 的特性可實(shí)現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。GaN Systems 利用獲得專利的 Island Technology 和 GaNPX 封裝等業(yè)界領(lǐng)先的先進(jìn)技術(shù)進(jìn)行創(chuàng)新。Island Technology 單元布局實(shí)現(xiàn)了大電流芯片和高產(chǎn)量。GaNPX 封裝在小型封…GS-065-008-1-L-MR
GS-065-008-1-L-MR是一款增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性可實(shí)現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。GaN Systems 采用獲得專利的 Island Technology 單元布局,可實(shí)現(xiàn)大電流芯片性能和產(chǎn)量。 GS-065-008-1-L-MR是一款底部冷卻型晶體管,采用 56 mm PDFN 封裝,具有…GS-065-011-2-L-MR
GS-065-011-2-L-MR是一款增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性可實(shí)現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。GaN Systems 采用行業(yè)領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù),如獲得專利的 Island Technology 單元布局,實(shí)現(xiàn)了大電流芯片和高產(chǎn)量。GS-065-011-2-L-MR是底部冷卻型晶體管,結(jié)殼熱阻低…電話咨詢:86-755-83294757
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