商品名稱:NCV7703CD2R2G
數(shù)據(jù)手冊:NCV7703CD2R2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:14-SOIC
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:20000 件
NCV7703CD2R2G 是一款完全受保護(hù)的三半橋驅(qū)動器,專為汽車和工業(yè)運(yùn)動控制應(yīng)用而設(shè)計(jì)。三個半橋驅(qū)動器具有獨(dú)立控制功能。這樣就可以實(shí)現(xiàn)高壓側(cè)、低壓側(cè)和 H 橋控制。H 橋控制提供正向、反向、制動和高阻抗?fàn)顟B(tài)(EN = 0)。驅(qū)動器通過標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口 (SPI) 進(jìn)行控制。
功能特性
? 睡眠模式下的超低靜態(tài)電流,VS 和 VCC 為 1 A
? 3 個高壓側(cè)和 3 個低壓側(cè)驅(qū)動器作為半橋連接
? 內(nèi)部自由續(xù)流二極管
? 可配置為 H 橋驅(qū)動器
? 500 mA(典型值),1.1 A(最大值)驅(qū)動器
? RDS(on) = 0.8(典型值),1.7(最大值)
? 5 MHz SPI 控制,具有菊花鏈功能
? 兼容 5 V 和 3.3 V 系統(tǒng)
? 過壓和欠壓鎖定
? 故障報(bào)告
? 1.45 A 過流閾值檢測
? 3 A 電流限制
? 擊穿嘗試檢測
? 過溫警告和保護(hù)級別
? SOIC-14 內(nèi)部引線熔斷,散熱性能更佳
? 高達(dá) 6 kV 的 ESD 保護(hù)
? 這些器件均為無鉛器件
典型應(yīng)用
? 汽車
? 工業(yè)
? 直流電機(jī)管理
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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