商品名稱:N-通道功率MOSFET
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPB60R045P7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO263-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:10000 件
CoolMOS? 第 7 代平臺(tái)是用于高電壓功率 MOSFET 的革命性技術(shù)。(SJ)原理設(shè)計(jì),并由英飛凌技術(shù)公司率先推出。IPB60R045P7是繼 CoolMOS?P6 系列之后的又一成功產(chǎn)品。它將快速開關(guān) SJMOSFET 的優(yōu)點(diǎn)與出色的易用性結(jié)合在一起,例如非常容易使用。它將快速開關(guān) SJMOSFET 的優(yōu)點(diǎn)與出色的易用性結(jié)合在一起,例如極低的振鈴瞬時(shí)、出色的體。它結(jié)合了快速開關(guān) SJMOSFET 的優(yōu)點(diǎn)和出色的易用性,如極低的繞組延時(shí)、出色的本體穩(wěn)健性、抗劇烈突變的二極管和出色的 ESD 能力。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):61A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):45 毫歐 @ 22.5A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 1.08mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):90 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3891 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):201W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3-2
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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