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RGW80TS65EHRC11 650V、80A 場終止溝槽型IGBT采用小型封裝，具有低集電極-發(fā)射極飽和電壓。該IGBT具有高速開關、低開關損耗和內置極快軟恢復FRD，因此非常適合用于太陽能逆變器、UPS、焊接、IH和PFC應用。

規(guī)格

GBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：160 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，40A

功率 - 最大值：214 W

輸入類型：標準

柵極電荷：110 nC

25°C 時 Td（開/關）值：43ns/148ns

測試條件：400V，20A，10 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：86 ns

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應商器件封裝：TO-247N

基本產品編號：RGW80

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