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PSMN1R9-80SSEJ N溝道MOSFET設計用于實現(xiàn)超高性能和可靠性。Nexperia PSMN器件是Nexperia應用專用MOSFET (ASFET) 系列的一部分。這些MOSFET專門設計用于熱插拔和軟啟動應用，工作溫度高達175°C。這些器件具有低RDSon和增強的安全工作區(qū)性能，因此非常適合用于要求苛刻的電源管理應用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：286A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.9 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：232 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：17140 pF @ 40 V

功率耗散（最大值）：340W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：LFPAK88（SOT1235）

封裝/外殼：SOT-1235

應用

● 熱插拔

● 負載開關

● 軟啟動

● 電熔絲

● 電信和計算系統(tǒng)，基于48V背板/電源軌

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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