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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:FDMS86350ET80

商品名稱:FDMS86350ET80

數(shù)據(jù)手冊:FDMS86350ET80.pdf

品牌:ON

年份:23+

封裝:8-PQFN

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

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技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號
FDMS86350ET80
封裝
8-PQFN
描述
表面貼裝型 N 通道 80 V 25A(Ta),198A(Tc) 3.3W(Ta),187W(Tc) 8-PQFN(5x6)

產(chǎn)品描述

FDMS86350ET80擴展了 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品線,以提供不同的漏極至源極電壓、漏極電流和 RDS(ON)。這一擴展包括用于低 RDS(ON) 和高效率的先進封裝和硅組合、熱效率封裝以及下一代增強型體二極管技術(shù)。典型應用包括 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的同步整流器、筆記本電腦或網(wǎng)絡(luò)低端開關(guān)、電信二次側(cè)整流和負載開關(guān)。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):25A(Ta),198A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):2.4 毫歐 @ 25A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):155 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):8030 pF @ 40 V

功率耗散(最大值):3.3W(Ta),187W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:8-PQFN(5x6)

封裝/外殼:8-PowerTDFN


應用

● 負載開關(guān)

● 主交換機

● 移動計算

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 同步整流器

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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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    答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

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    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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ON

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