商品名稱:NVMFS021N10MCLT1G
數(shù)據(jù)手冊:NVMFS021N10MCLT1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:DFN-5
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NVMFS021N10MCLT1G 汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝,專為緊湊型高效設計而設計,具有高散熱性能。提供用于增強光學檢測的可潤濕側翼選件。通過 AEC-Q101 認證的 MOSFET,具有 PPAP 能力,適合汽車應用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術: MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 8.4A(Ta),31A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 23 毫歐 @ 7A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 3V @ 42μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 13 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 850 pF @ 50 V
功率耗散(最大值): 3.6W(Ta),49W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼: 8-PowerTDFN,5 引線
應用
開關電源
電源開關(高壓側驅動器、低壓側驅動器、H 橋等)
48V 系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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