商品名稱:GAN140-650FBEZ
數(shù)據(jù)手冊:GAN140-650FBEZ.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:DFN5060-5
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
GAN140-650FBEZ 是一款通用型 650 V、140 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET,采用 5 mm x 6 mm DFN 表面貼裝封裝。它是一款常關(guān)型電子模式器件,具有卓越的性能。
產(chǎn)品屬性
制造商: Nexperia
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): GaN
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DFN5060-5
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 17 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 140 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 7 V, + 7 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 3.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 113 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 4 ns
濕度敏感性: Yes
上升時間: 5 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 4 ns
典型接通延遲時間: 3 ns
應(yīng)用
高功率密度和高效率電源轉(zhuǎn)換
交流-直流轉(zhuǎn)換器、圖騰柱 PFC
直流-直流轉(zhuǎn)換器
快速電池充電、手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦和 USB Type-C 充電器
數(shù)據(jù)通信和電信(AC-DC 和 DC-DC)轉(zhuǎn)換器
電機(jī)驅(qū)動器
太陽能(光伏)逆變器
D 類音頻放大器、電視 PSU 和 LED 驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)
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安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車…
PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合,可優(yōu)化散熱和電氣性能,提供共源共柵配置,無需復(fù)雜的驅(qū)動器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電…GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET,具有出色的性能。特性:增強(qiáng)模式-常關(guān)電源開關(guān)雙向器件超高開關(guān)速度能力超低導(dǎo)通電阻符合RoHS指令,無鉛,符合REACH標(biāo)準(zhǔn)高效率和高功率密…GANE3R9-150QBAZ
GANE3R9-150QBAZ氮化鎵 (GaN) FET是一款通用150V、3.9mΩ 氮化鎵 (GaN) FET。GANE3R9-150QBA是一款常閉電子模式器件,具有出色的性能和非常低的導(dǎo)通電阻。Nexperia GANE3R9-150QBA采用超薄四方扁平無引線封裝 (VQFN)。特性:增強(qiáng)模式-常關(guān)電源開關(guān)超高頻開關(guān)能力無體二極…電話咨詢:86-755-83294757
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