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NVMFS4C310NWFT1G是采用先進的功率溝槽工藝（結合屏蔽柵極技術）生產的30V、40V和60V MOSFET。該工藝經過優(yōu)化，可最大限度地降低導通電阻，另外還采用出色的軟體二極管，可保持卓越的開關性能。采用各種小尺寸封裝選項，可提高設計靈活性。

產品屬性

FET 類：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17.2A（Ta），55A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.8 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：18.2 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1670 pF @ 15 V

功率耗散（最大值）：3W（Ta），30.6W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝，可潤濕側翼

供應商器件封裝：5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）

封裝/外殼：8-PowerTDFN，5 引線

應用

● 反向電池保護

● DC-DC 轉換器輸出驅動器

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