商品名稱:NTMYS2D9N04CLTWG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTMYS2D9N04CLTWG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:LFPAK4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NTMYS2D9N04CLTWG N溝道MV MOSFET是采用先進(jìn)的功率溝槽工藝(結(jié)合屏蔽柵極技術(shù))生產(chǎn)的30V、40V和60V MOSFET。該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可最大限度地降低導(dǎo)通電阻,另外還采用出色的軟體二極管,可保持卓越的開關(guān)性能。采用各種小尺寸封裝選項(xiàng),可提高設(shè)計(jì)靈活性。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):27A(Ta),110A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):2.8 毫歐 @ 40A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 11μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):35 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2100 pF @ 20 V
功率耗散(最大值):3.7W(Ta),68W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:LFPAK4(5x6)
封裝/外殼:SOT-1023,4-LFPAK
應(yīng)用
● ORing
● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
● 直流-直流轉(zhuǎn)換器
● 功率負(fù)載開關(guān)
● 電池管理
● 高端計(jì)算
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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