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SGT120R65AL 是一款 650 V、15 A e-mode PowerGaN 晶體管，采用了成熟的封裝技術(shù)。由此產(chǎn)生的 G-HEMT 器件具有極低的傳導(dǎo)損耗、高電流能力和超快的開關(guān)操作，從而實現(xiàn)了高功率密度和無與倫比的能效表現(xiàn)。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：15A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：120 毫歐 @ 5A，6V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 12mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：3 nC @ 6 V

Vgs（最大值）：+6V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：125 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：192W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（5x6）HV

封裝/外殼：8-PowerVDFN

產(chǎn)品特性

增強型常閉晶體管

極高的開關(guān)速度

高功率管理能力

極低電容

開爾文源極墊，可實現(xiàn)最佳柵極驅(qū)動

零反向恢復(fù)電荷

應(yīng)用

平板電腦、筆記本電腦和 AIO 適配器

USB Type-C PD 適配器和快速充電器

無線充電器

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。